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臺積電再次領先一步!2023年將量產3nm+芯片,蘋果首發

在芯片產業鏈上有三大領域,分別是:芯片設計、芯片制造和芯片封測,其中芯片制造作為整個芯片產業鏈中技術門檻最高、投入金額最多。像大傢熟知的華為海思、蘋果、高通、聯發科等便屬於芯片設計商,我國大陸的中芯國際和中國臺灣的臺積電便屬於芯片制造商或者芯片代工廠商。

臺積電再次領先一步!2023年將量產3nm+芯片,蘋果首發

臺積電:2023年推出3nm plus工藝

目前芯片制造最先進的制程工藝是今年2020年實現量產的5納米工藝,今年發佈的蘋果的A14、華為海思的麒麟9000和高通驍龍888便是基於臺積電5納米制程工藝制造的手機芯片。

臺積電再次領先一步!2023年將量產3nm+芯片,蘋果首發

最近有消息稱,臺積電將於2023年推出 3nm plus工藝,蘋果將是采用該制程工藝的最初客戶,這個消息的最初來源是臺媒電子時報“Digitimes”。《電子時報》是一傢著重於半導體、計算機、通訊等電子產業的新聞媒體,其報道的關於臺積電的這個消息還是有相當高的可信度。

臺積電再次領先一步!2023年將量產3nm+芯片,蘋果首發

3nm plus工藝是3nm工藝的增強版,而3nm又是5nm工藝的下一代。按照臺積電的說法,3nm工藝相比於5nm性能提高瞭15%,功耗降低瞭30%,晶體管密度顯著提高瞭70 %。至於3nm Plus相比於3nm有何變化,臺積電並沒有透露,但是顯然會有更高的晶體管密度、更低的功耗和更高的運行頻率。

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按照臺積電在8月24號的第26屆技術研討會上介紹的制程工藝進展的介紹,其3nm工藝將於2021年進行風險試產,並在2022年下半年實現批量生產,屆時蘋果的A16處理器將會基於3nm制程工藝進行制造。

3nm plus工藝:FinFET技術的再次延續

值得註意的是,臺積電在3nm plus工藝上將延續FinFET(鰭式場效應晶體管),理由是其實現成本更低,功率效率更高。在2nm上則會首次引入全新的MBCFET(多橋通道場效應晶體管),也就是納米片(nanosheet),可視為從二維到三維的跨越,能夠大大改進電路控制,降低漏電率。根據之前的報道,臺積電2nm工藝將於2023年進行風險試產,並將於2024年實現量產。

臺積電再次領先一步!2023年將量產3nm+芯片,蘋果首發

FinFET是由美國加州大學伯克利分校的華人科學傢胡正明團隊研制,首次商業化用於22nm工藝上。2nm工藝將采用MBCFET技術,這意味著3nm plus將是最後一代采用FinFET技術的制程節點瞭,MBCFET將取代走向盡頭的FinFET,並推進到1nm,延續摩爾定律。

結束語

這幾年來,臺積電在芯片代工領域可以說是愈戰愈勇,先進制程的研發速度也步步加快,還有三星緊追其後,而且也公開表示,要到2030年超過臺積電,取代後者的代工地位。我國大陸的中芯國際,根據梁博士的透露,已經實現瞭12nm、N+1的規模量產,7nm工藝的研發也已經完成,明年4月份便可進行風險量產,5nm和3nm的關鍵技術研發也已經有序展開,但是最近的高層人事變動,也讓國人對中芯國際的未來感到擔憂,畢竟它是我國大陸芯片代工的領頭羊,突破卡脖子技術的帶頭企業。衷心祝願中芯國際和國產芯片可以越走越好!

文|技術猿小黃

圖|來源於網絡

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